Samsung запускает серийное производство 20-нм памяти DDR3.

Представители из Samsung сообщили, что их предприятия начали массовый выпуск памяти на 20-нм микросхемах, которые до этого не использовались. Данная технология является самой современной и прогрессивной, т.к. позволяет выпускать микросхемы памяти DDR3 емкостью 4 Гбайт.

Новинка не будет узкоспециализированной, а найдет применение практически во всех отраслях, включая стандартные модули памяти DDR3 для настольных компьютеров.

По заявлениям производителя, выпуск новой памяти - значительное достижение индустрии производства оперативных накопителей. Уменьшать размеры микросхем памяти DRAM по-прежнему довольно сложно, т.к. у них в состав элементарной ячейки входит конденсатор. Однако Samsung это все же удалось, поскольку они применили двойную проекцию и улучшили процесс внесения примесей в атомарный слой. Выход кристаллов, при использовании новой технологии, увеличивается на 30%. Новые чипы будут обладать повышенной энергоэффективностью, показатели которой, по сравнению с предыдущими моделями, будут увеличены на 25%.