Модули памяти ST-MRAM нашли первое применение в SSD Buffalo Memory

Производитель модулей MRAM-памяти Everspin Technologies объявил о выпуске первых устройств с использованием новых микросхем ST-MRAM. Первооткрывателем стала компания Buffalo Memory, применившая их в основе своей новой линейки твердотельных накопителей.

Напомним, Everspin анонсировала новейшие микросхемы Spin-Torque MRAM около года назад, представив их как высокоэнергоэффективный вариант, способный долго и надежно хранить пользовательские данные даже при отсутствии питания. Создатели предполагали, что подобная память поначалу станет отличным дополнением к флеш-памяти в SSD с высоким уровнем производительности, как это и произошло в случае с накопителями Buffalo с шестигигабитным интерфейсом SATA.

Утверждается, что память ST-MRAM, используемая в качестве кэш-памяти в твердотельных накопителях, существенно превосходит используемую ранее память DRAM как в плане надежности и скорости, так и в области энергоэффективности. Создатели из Everspin надеются на активное распространение нового типа микросхем памяти, чему должна способствовать совместимость с интерфейсом JEDEC DDR3.